通过条状畴壁增强斯格明子运动
介观与纳米尺度物理
2020-06-23 v3 材料科学
摘要
当磁性斯格明子在自旋轨道矩驱动下于磁性纳米线中运动时，它们会经历斯格明子霍尔效应，该效应将其推向纳米线边缘，从而面临被湮灭的风险；这为它们的驱动速度设定了上限。然而，容纳斯格明子的同一磁性多层膜可沿纳米线长度方向维持一个Néel型条状畴壁，有可能使斯格明子与边缘保持分离。在此我们研究电流驱动的斯格明子与畴壁之间的相互作用，发现它们提高了湮灭电流并允许斯格明子运动得更快。基于Thiele形式体系，我们确认与畴壁相关的涌现纵向排斥力和被修改的能量景观是增强斯格明子运动的原因。此外，我们确定该纵向排斥力源于斯格明子前方局域磁化中轴对称性的破缺。我们的研究揭示了来自不同同伦群的两个拓扑磁纹理之间相互作用的关键方面，并可能启发新的器件概念。
关键词
引用
@article{arxiv.1910.13677,
title = {Enhanced skyrmion motion via strip domain wall},
author = {Xiangjun Xing and Johan Åkerman and Yan Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.13677},
year = {2020}
}
备注
39 pages, 6 figures, 5 supplemental figures, and 5 supplemental tables