合成反磁性胶矢拓扑霍尔效应观测
介观与纳米尺度物理
2025-11-24 v3
摘要
合成反磁性 (SAF) 胶矢因其卓越的特性（如高驱动速度、纳米尺寸及消除胶矢霍尔效应）而成为下一代高速高集成度自旋电子器件的有前景候选人。本文报告了基于 [Pt/Co/Ru]2 双层结构的合成反磁性胶矢系统中观察到的拓扑霍尔效应。我们表明，这些合成反磁性胶矢在零场下具有良好的鲁棒性。我们的第一性计算和微磁模拟表明，合成反磁性胶矢形成是由于RKKY 耦合的非均匀性，与Pt和Ru层中磁矩的近距离效应相关。Pt和Ru层中相邻的Co层中的胶矢导致观察到的拓扑霍尔效应。这项工作不仅为Pt和Ru层的磁近距离效应以及RKKY 耦合对SAF胶矢的影响提供了见解，还为SAF胶矢系统的有效检测方法提供了途径，从而为反磁性胶矢在自旋电子器件中的实际应用奠定了基础。
引用
@article{arxiv.2505.15012,
title = {Observation of Topological Hall Effect in Synthetic Antiferromagnetic Skyrmion System},
author = {Xinbao Geng and Guanqi Li and Zhongxiang Zhang and Wenjing Hu and Wenjing Zhong and Xiaoming Xiong and Yongbing Xu and Zhendong Chen and Junlin Wang and Xiangyu Zheng and Jing Wu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.15012},
year = {2025}
}