1T-CrX2（X = Se, Te）单层中由应变控制的铁磁性与反铁磁性切换
介观与纳米尺度物理
2016-01-22 v2
摘要
我们基于第一性原理计算报道了1T-CrX2（X = Se, Te）单层中由应变诱导的铁磁性（FM）与反铁磁性（AFM）有序之间的切换。研究发现，无应变时CrSe2和CrTe2单层分别为AFM和FM。在双轴拉伸应变下，当应变大于2%时，CrSe2单层倾向于变为FM。随着应变增大，FM态进一步稳定。此外，当拉伸应变大于10%时，CrSe2单层变为半金属性。而对于CrTe2单层，发生FM与AFM态之间转变的临界应变是压缩性的，为-1%。相对较小的拉伸应变（分别为4%和2%）可将CrSe2和CrTe2单层的居里温度提升至室温以上。CrSe2（CrTe2）单层中FM与AFM态之间由应变诱导的切换可通过AFM的Cr-Cr直接交换与FM的Cr-Se(Te)-Cr超交换相互作用之间的竞争来理解。由柔性应变调控的可调且引人注目的磁性和电子性质对于未来的纳米电子应用是理想的。
引用
@article{arxiv.1509.07572,
title = {Strain-controlled switch between ferromagnetism and antiferromagnetism in 1T-CrX2 (X = Se, Te) monolayers},
author = {H. Y. Lv and W. J. Lu and D. F. Shao and Y. Liu and Y. P. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1509.07572},
year = {2016}
}
备注
8 pages, 7 figures