反铁磁薄膜中自旋霍尔磁电阻的结构敏感性
材料科学
2020-09-14 v2
摘要
读取反铁磁（AFM）薄膜的磁态是AFM自旋电子器件的关键。我们研究了铂与绝缘AFM赤铁矿（α-Fe2O3）双层结构的自旋霍尔磁电阻（SMR）背后的物理机制，发现其SMR效率可达0.1%，与基于铁磁的结构相当。为理解所观测到的复杂SMR场依赖关系，我们通过电学测量与直接磁成像，分析了薄膜生长过程中出现的磁轴失准效应，发现微小偏差即可在SMR响应中产生显著特征。这凸显了在解读AFM自旋织构的SMR测量时所必须持有的谨慎。
引用
@article{arxiv.2001.03117,
title = {Structural sensitivity of the spin Hall magnetoresistance in antiferromagnetic thin films},
author = {Andrew Ross and Romain Lebrun and Camilo Ulloa and Daniel A. Grave and Asaf Kay and Lorenzo Baldrati and Florian Kronast and Sergio Valencia and Avner Rothschild and Mathias Kläui},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.03117},
year = {2020}
}