自旋霍尔磁电阻(SMR)及相关现象的理论
材料科学
2016-02-23 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们从理论角度回顾了最近发现的自旋霍尔磁电阻(SMR)及相关效应。SMR在磁性绝缘体与金属的双层膜中观测到，其中由于自旋霍尔效应，在正常金属中产生自旋电流。相关的角动量转移到铁磁层，从而使得电阻受到外加电流与磁化方向之间角度的调制。SMR提供了一种便捷的工具，用于非侵入式地测量磁化方向以及传递到绝缘体的自旋转移力矩。我们介绍了计算SMR所需的最简理论工具，即自旋扩散理论和量子力学边界条件。这引出一小组可通过实验拟合的参数。我们讨论了该理论的局限性以及替代机制，如铁磁邻近效应和Rashba自旋轨道力矩，并指出了与SMR相关的新进展。
引用
@article{arxiv.1507.06054,
title = {Theory of spin Hall magnetoresistance (SMR) and related phenomena},
author = {Yan-Ting Chen and Saburo Takahashi and Hiroyasu Nakayama and Matthias Althammer and Sebastian T. B. Goennenwein and Eiji Saitoh and Gerrit E. W. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.06054},
year = {2016}
}
备注
Journal of Physics: Condensed Matter, Topical Review (in press)