自旋霍尔磁阻理论
介观与纳米尺度物理
2013-04-16 v1
摘要
我们提出了由绝缘铁磁体 F（如钇铁石榴石 YIG）和具有自旋轨道相互作用的正常金属 N（如铂 Pt）构成的多层膜中的自旋霍尔磁阻 (SMR) 理论。SMR 由自旋霍尔效应和逆自旋霍尔效应的共同作用引起，因此是一种非平衡邻近现象。我们计算了 FN 和 FNF 层状系统中的 SMR，其中通过自旋扩散理论处理 N 层，并在界面处采用基于自旋混合电导的量子力学边界条件。我们的结果解释了在 NF 双层膜中实验观察到的自旋霍尔磁阻。对于 FNF 自旋阀，我们预测当磁化强度共线时 SMR 振幅会增强。这些三层膜中的 SMR 和自旋转移力矩可通过磁构型进行控制。
引用
@article{arxiv.1302.1352,
title = {Theory of spin Hall magnetoresistance},
author = {Yan-Ting Chen and Saburo Takahashi and Hiroyasu Nakayama and Matthias Althammer and Sebastian T. B. Goennenwein and Eiji Saitoh and Gerrit E. W. Bauer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.1352},
year = {2013}
}