自旋霍尔磁电阻的微观理论
介观与纳米尺度物理
2020-11-17 v3
摘要
我们考虑自旋霍尔磁电阻（SMR）的微观理论。我们用自旋磁化率一般性地表述了正常金属与磁性绝缘体界面处的自旋电导。我们揭示了SMR由静态部分和动态部分组成。几乎与温度无关的静态部分源于界面交换耦合引起的自旋翻转。然而，由磁振子的产生或湮灭引起的动态部分，具有与静态部分相反的符号。通过自旋波近似，我们预测后者会导致在有限温度下SMR信号发生非平庸的符号变化。此外，我们推导了自旋电导与热自旋电流噪声之间的Onsager关系。
引用
@article{arxiv.2005.14494,
title = {Microscopic Theory of the Spin Hall Magnetoresistance},
author = {Takeo Kato and Yuichi Ohnuma and Mamoru Matsuo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.14494},
year = {2020}
}
备注
10 pages, 3 figures