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反铁磁绝缘体中的自旋巨磁电阻效应

材料科学 2018-08-01 v1

摘要

巨磁电阻(CMR)指在金属—绝缘体相变附近由磁场引起的电导率大幅变化,数十年来激发了广泛研究。在此我们展示了在反铁磁绝缘体 \CrO 的 N\'eel 温度 TNT_{\rm{N}}=296 K 附近的一种类似自旋效应。利用钇铁石榴石 \YIG/\CrO/Pt 三层结构,我们将自旋流从 YIG 注入 \CrO 层,并通过逆自旋霍尔效应收集在重金属 Pt 中传输的信号。我们观察到在 N\'eel 温度 14 K 范围内传输自旋流变化达两个数量级。这种自旋导通与非导通态之间的转变也可在等温条件下由磁场调制。我们将此效应称为自旋巨磁电阻(SCMR),它有望简化基础自旋电子学器件的设计,例如实现自旋流开关或基于自旋流的存储器。

关键词

引用

@article{arxiv.1804.04516,
  title  = {Spin colossal magnetoresistance in an antiferromagnetic insulator},
  author = {Zhiyong Qiu and Dazhi Hou and Joseph Barker and Kei Yamamoto and Olena Gomonay and Eiji Saitoh},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1804.04516},
  year   = {2018}
}