HgCr$_2$Se$_4$ 中的自旋关联与庞磁阻
介观与纳米尺度物理
2016-12-21 v2
摘要
本研究旨在揭示 n 型 HgCrSe 中观察到的庞磁阻 (CMR) 效应的机制，其中低密度传导电子与居里温度为 105 K 的三维海森堡铁磁体发生交换耦合。在近室温下，电子输运表现出常规的半导体行为。当温度降至 以下时，磁化率偏离居里-外斯定律，同时输运进入一个中间区域，在 发生金属导电转变之前表现出显著的 CMR 效应。我们的结果表明，自旋关联不仅在临界点附近起重要作用，而且在顺磁相的宽温度范围（）内也发挥着重要作用。在这个中间温度区域内，随着温度降低或磁场增强，输运经历了从孤立磁性极化子到连续网络的逾渗型转变。
引用
@article{arxiv.1610.00556,
title = {Spin correlations and colossal magnetoresistance in HgCr$_2$Se$_4$},
author = {Chaojing Lin and Changjiang Yi and Youguo Shi and Lei Zhang and Guangming Zhang and Jens Mueller and Yongqing Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:1610.00556},
year = {2016}
}
备注
12 pages, 5 figures in main text and 8 figures in appendices