高压下 n 型 HgCr2Se4 中磁竞争诱导的巨磁电阻
强关联电子
2019-07-30 v1
摘要
n 型 HgCr2Se4 在 TC = 106 K 处伴随铁磁序在电阻率上表现出尖锐的半导体-金属转变（SMT）。本文中，我们通过测量高达 8 GPa 压力和高达 8 T 磁场下的电阻率、直流与交流磁化率以及单晶中子衍射，研究了压力和磁场对共生 SMT 与铁磁序的影响。我们的结果表明，n 型 HgCr2Se4 的铁磁金属基态在高压力下失稳，并逐渐被反铁磁（极可能为螺旋磁）绝缘基态所取代。另一方面，施加外磁场可在高压下再次恢复铁磁金属态，导致在 4 GPa、2 K 和 5 T 下产生高达约 3 * 10^11 % 的巨磁电阻（CMR）。本研究证明 n 型 HgCr2Se4 位于一个特殊的临界点，其中铁磁与反铁磁相互作用之间竞争的平衡易被外部刺激打破，从而为在单价体系中实现 CMR 提供了新平台。
引用
@article{arxiv.1903.10689,
title = {Magnetic competition induced colossal magnetoresistance in n-type HgCr2Se4 under high pressures},
author = {J. P. Sun and Y. Y. Jiao and C. J. Yi and S. E. Dissanayake and M. Matsuda and Y. Uwatoko and Y. G. Shi and Y. Q. Li and Z. Fang and J. -G. Cheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.10689},
year = {2019}
}
备注
6 pages, 4 figures