n型HgCr2Se4半金属性的证据

Tong Guan; Chaojing Lin; Chongli Yang; Youguo Shi; Cong Ren; Yongqing Li; Hongming Weng; Xi Dai; Zhong Fang; Shishen Yan; Peng Xiong

doi:10.1103/PhysRevLett.115.087002

n型HgCr2Se4半金属性的证据

介观与纳米尺度物理 2015-08-25 v3

作者: Tong Guan , Chaojing Lin , Chongli Yang , Youguo Shi , Cong Ren , Yongqing Li , Hongming Weng , Xi Dai , Zhong Fang , Shishen Yan , Peng Xiong

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摘要

通过磁化、电子输运和Andreev反射谱研究了高质量HgCr $_2$ Se $_4$ 单晶。在铁磁基态中，每个晶胞的饱和磁矩对应于整数个电子自旋(3 $\mu_B$ /Cr $^{3+}$ )，霍尔效应测量表明为n型载流子。利用修正的Blonder-Tinkham-Klapwijk (BTK)理论拟合HgCr $_2$ Se $_4$ /Pb结的差分电导谱，获得高达 $97\%$ 的自旋极化率。亚隙电导的温度和偏置电压依赖性与基于超导体/半金属界面自旋活性散射的最近理论计算一致。我们的结果表明n-HgCr $_2$ Se $_4$ 是半金属，与理论计算一致，该计算也预测未掺杂HgCr $_2$ Se $_4$ 是磁性Weyl半金属。

关键词

半金属性 HgCr2Se4 Andreev反射自旋极化 Blonder-Tinkham-Klapwijk理论磁性Weyl半金属铁磁基态

引用

@article{arxiv.1503.03190,
  title  = {Evidence for Half-Metallicity in n-type HgCr2Se4},
  author = {Tong Guan and Chaojing Lin and Chongli Yang and Youguo Shi and Cong Ren and Yongqing Li and Hongming Weng and Xi Dai and Zhong Fang and Shishen Yan and Peng Xiong},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1503.03190},
  year   = {2015}
}

备注

6 pages, 4 figures, to appear in PRL

n型HgCr2Se4半金属性的证据

摘要

关键词

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