低电子浓度 HgSe 单晶中的新奇磁阻特征
材料科学
2018-02-27 v1
摘要
首次在宽温度与磁场范围内研究了低电子浓度 HgSe 单晶的磁阻特性。实验测定了谱与电子散射的一些基本参数。发现了磁输运的两个重要特征——强横向磁阻(MR)与负纵向磁阻,这可能表明 HgSe 中存在外尔半金属(WSM)的拓扑相。鉴于此假设,我们提出了低电子能量下硒化汞的修正能带图。所得结果对于深入理解无带隙半导体以及作为电子学、自旋电子学、计算机与激光技术中多种应用前景材料的 WSM 的物理至关重要。
引用
@article{arxiv.1712.02134,
title = {Novel magnetoresistance features in HgSe single crystal with low electron concentration},
author = {A. T. Lonchakov and S. B. Bobin and V. V. Deryushkin and V. I. Okulov and T. E. Govorkova and V. N. Neverov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.02134},
year = {2018}
}
备注
11 pages, 5 figures