缺硒范德华 HfSe2-x 中的电输运转变与大磁阻
材料科学
2024-03-20 v1
摘要
过渡金属二硫族化合物在过去十年中备受关注，不仅因为其新的基础物理，还因为这些材料中涌现的应用。目前，文献中普遍认为 TMD 中的硫族元素缺失要么发生在高温生长过程中，要么发生在纳米制造过程中，导致其报道的物理性质发生显著变化。在此，我们对原始化学计量比的 HfSe2、缺硒的 HfSe1.9 和 HfSe1.8 进行了系统研究。化学计量比 HfSe2 的输运结果显示其具有带隙为 1.1eV 的半导体行为。在室温高真空下退火 HfSe2 会导致 Se 损失，形成 HfSe1.9，其在低于 50 K 的低温下表现出遵循扩展 Kohler 定则的非常规大磁阻。此外，在 HfSe1.9 单晶中观察到一个清晰的电阻率转变，类似于金属-绝缘体转变。进一步增加 HfSe1.8 中的缺失程度，导致在降至 2K 的所有温度下均表现为完全的金属性电输运。化学计量比和缺硒 HfSe2 在输运行为上的这种巨大差异进一步强调，缺陷控制和工程可能是一种有效的方法，可用于调控二维材料的电子结构，潜在地解锁新的物质状态，甚至发现新材料。
引用
@article{arxiv.2403.12430,
title = {Electrical transport crossover and large magnetoresistance in selenium deficient van der Waals HfSe2-x},
author = {Wenhao Liu Yangzi Zheng and Aswin Lakshmi Narayanan Kondusamy and David L. Scherm and Anton. V. Malko and Bing Lv},
journal= {arXiv preprint arXiv:2403.12430},
year = {2024}
}
备注
9 pages, 4 figures