二维过渡金属硫化物半导体中的电荷传输与迁移率工程

二维（2D）范德华半导体是已知最薄、空气稳定的半导体材料。其独特的光学、电子和机械性质，具有巨大的潜力，可作为电子器件和光电子器件中关键组件。然而，2D半导体的电荷传输行为更容易受到外部环境（如来自空气的气体吸附物和基板中囊积电荷）的影响，由于表面和体相重合，其电子性能通常低于相应的 Bulk 材料。本文综述了近期在2D过渡金属硫化物电荷传输性能和载流子迁移率工程方面的进展，特别关注载流子迁移率随厚度显著变化的特性。我们揭示了这种独特厚度依赖性的起源，并详细讨论了为优化载流子迁移率而设计的策略。具体讨论了影响外异性传输的主要因素，如电极/半导体接触、界面库仑杂质和原子缺陷的物理和化学优化方法。特别是，通过使用“按需”分子，可能实现与介电材料的界面工程，并修复此类材料中的空位。通过对理论和实验工作的 fresh light 阐述，我们为改进2D半导体的电子性能提供了指南，最终目标是实现可技术实现的原子级薄（光）电子器件。