原子级薄硫族化物中的载流子注入与散射

原子级薄的二维硫族化物（如 MoS2 单层）在结构上是终极原子电子学的理想沟道材料。然而，这些超薄材料表现出电学性能对厚度的强烈依赖，并且与相应块体相比，器件性能通常退化且载流子迁移率较低，这构成了电子学应用的主要障碍。在本简要综述中，我们总结了近期关于电极/沟道接触与载流子散射机制的工作，以探明这种不利厚度依赖性的根源。从外在因素看，由于量子限制引起的带隙展宽，薄沟道中电极/沟道接触区域的肖特基势垒高度增加，从而阻碍载流子注入并降低器件性能。从内在因素看，薄沟道往往遭受增强的库仑杂质散射，这源于界面杂质与沟道载流子之间相互作用距离的减小。这两个因素共同导致了二维半导体中载流子迁移率对沟道厚度的不利依赖。