电子穿过金属/MoS2界面的输运：边缘依赖还是面积依赖过程？
介观与纳米尺度物理
2019-12-11 v1
摘要
在超薄二维(2-D)材料中，与顶部金属层形成欧姆接触是一项具有挑战性的任务，其涉及的过程不同于块体类结构。除了肖特基势垒高度外，金属与二维单层之间电子的转移长度是一个高度相关的参数。对于MoS，已有短(30 nm)和长(0.5 m)值的报道，分别对应于接触边缘处的突变载流子注入或在大接触面积上更渐进的电子转移。在此，我们使用第一性原理量子输运模拟证明，金属接触与MoS单层之间存在氧化层（例如钛电极情况下的TiO）有利于具有长转移面积依赖过程，而完全洁净的金属-半导体界面将导致边缘过程。这些发现调和了关于金属/MoS界面物理已提出的若干理论，并为设计具有更低接触电阻的未来器件提供了框架。
引用
@article{arxiv.1912.04847,
title = {Electron transport through metal/MoS2 interfaces: edge- or area-dependent process?},
author = {Aron Szabo and Achint Jain and Markus Parzefall and Lukas Novotny and Mathieu Luisier},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.04847},
year = {2019}
}