金属/MoS$_2$界面的电子输运：对接触面积和结合距离的依赖
介观与纳米尺度物理
2013-11-12 v1
摘要
我们研究了通过悬浮在Au和Ti金属接触之间的单层二硫化钼（MoX, X=S, Se）的电子输运性质。将单层放置在金属电极的密堆积表面上，并重点关注金属-MoX结合距离和接触面积的作用。基于从头算输运计算，我们识别了两种不同的散射机制，它们对金属-MoX结合距离的依赖不同：(i) 金属与支撑部分MoX之间的界面电阻，随结合距离减小和接触面积增大而减小。(ii) 金属支撑与自由站立MoX之间的一维界面上的边缘电阻，随结合距离减小而增大，且与接触面积无关。边缘电阻的起源是金属诱导的MoX层内的电势偏移。因此最佳金属取决于结几何形状。对于MoS，我们发现对于短接触（L<6 nm），Ti电极（短结合距离）给出最低电阻，而对于较长接触，Au（大结合距离）是更好的电极金属。
引用
@article{arxiv.1311.2393,
title = {Electron transport across a metal/MoS$_2$ interface: dependence on contact area and binding distance},
author = {Zhaoqiang Bai and Troels Markussen and Kristian S. Thygesen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.2393},
year = {2013}
}