原子级薄半导体横向同质结界面处的增强电导率
材料科学
2017-07-21 v1
摘要
异质结构中材料间界面处的能带重排可以产生独特的电子特性和非平庸的低维电荷态。在单层和多层 MoS 的同质结中，依赖于厚度的能带结构意味着能带重排的可能性，以及一种性质与孤立层不同的新界面电荷态。在本报告中，我们利用扫描光电流显微镜和沿界面施加源漏偏压的栅极依赖输运测量来探测该界面电荷态。在界面处观测到的增强光响应归因于能带弯曲。具有单层-多层 MoS 界面的材料的有效电导率被证明高于独立的单层或多层 MoS。我们构建了一个经典的异质结构模型来解释界面处的电学性质。我们的工作揭示了过渡金属二硫化物单层/多层界面处的能带工程可以增强复合单层和多层器件的纵向电导和场效应迁移率。
引用
@article{arxiv.1612.03921,
title = {Enhanced Conductivity Along Lateral Homojunction Interfaces of Atomically Thin Semiconductors},
author = {Ying Jia and Teodor K. Stanev and Erik J. Lenferink and Nathaniel P. Stern},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.03921},
year = {2017}
}
备注
11 pages, 4 figures, supplementary information