单层-双层 WSe2 横向异质结中的能量分辨光电导成像
材料科学
2018-10-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
范德瓦耳斯材料的垂直与横向异质结为能带结构工程提供了极大的灵活性。由于电子能带对缺陷、应变和层间耦合敏感，这些二维（2D）体系的边缘与异质结可能展现新颖的物理性质，而这些性质只能借助空间分辨探针被完整揭示。在此，我们报道了在多种激发激光下单层-双层 WSe2 横向异质结中光电导的空间成像。随着光子能量增加，由微波阻抗显微镜探测到的光致电导首先沿异质界面与双层边缘出现，继而沿单层边缘、在双层区域内、最终在单层区域内部出现。样品不同部分中可动载流子的依次涌现与局域能隙的理论计算一致。对显微镜与输运数据的定量分析还揭示了光电导对激光强度的线性依赖，以及层间耦合对载流子复合的影响。结合理论建模、原子尺度成像、介观阻抗显微镜与器件级表征，我们的工作提出了一种在少纳米尺度下调控 2D 异质结本征带隙变化的令人振奋的前景。
引用
@article{arxiv.1810.04253,
title = {Energy-resolved Photoconductivity Mapping in a Monolayer-bilayer WSe2 Lateral Heterostructure},
author = {Zhaodong Chu and Ali Han and Chao Lei and Sergei Lopatin and Peng Li and David Wannlund and Di Wu and Kevin Herrera and Xixiang Zhang and Allan H. MacDonald and Xiaoqin Li and Lain-Jong Li and Keji Lai},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.04253},
year = {2018}
}
备注
18 pages, 5 figures; Nano Lett., Just Accepted Manuscript