范德瓦耳斯异质结构中电子关联的介电工程
材料科学
2018-07-11 v1
摘要
范德瓦耳斯键合层状材料的异质结构提供了以原子层精度定制介电屏蔽的独特手段，开辟了一个基础研究的新领域。迄今所用的光学分析依赖于带间光谱。此处我们展示利用六方氮化硼（hBN）覆盖层如何通过带内跃迁重整WSe单层中的激子内部结构。超宽带太赫兹探针在光学注入 A激子后灵敏地绘制异质结构的完整复值中红外电导率。该方法使我们能够追踪类原子的-光学亮激子与暗激子跃迁的能量与线宽以及这些准粒子的密度。与裸露单层相比，WSe/hBN异质结构中的基本激子共振发生红移并变窄。此外，中红外响应函数的超快时间演化证明由初始亮激子布居形成了光学暗激子。我们的结果深入揭示了非局域屏蔽对电子-空穴关联的影响，并为范德瓦耳斯异质结构的介电工程开辟了新可能。
引用
@article{arxiv.1806.11319,
title = {Dielectric Engineering of Electronic Correlations in a van der Waals Heterostructure},
author = {Philipp Steinleitner and Philipp Merkl and Alexander Graf and Philipp Nagler and Jonas Zipfel and Christian Schüller and Tobias Korn and Alexey Chernikov and Rupert Huber and Samuel Brem and Malte Selig and Gunnar Berghäuser and Ermin Malic},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.11319},
year = {2018}
}