剥离与外延六方氮化硼的电子结构
材料科学
2018-07-31 v1
摘要
六方氮化硼 (hBN) 是范德瓦耳斯异质结构中的关键组分，因为它提供了高质量且弱相互作用的界面，从而保持相邻材料的电子性质。尽管剥离的 hBN 薄片已通过电子输运和光学探针被广泛研究，但关于其能量与动量依赖的电子激发谱的详细实验测量仍然缺乏。在此，我们利用具有微米空间分辨的角分辨光电子能谱直接测定了微米尺寸 hBN 剥离薄片的完整价带 (VB) 电子结构。我们辨识出 带与 带的色散、hBN 的堆垛序，并确定了 19.4 eV 的总价带带宽。我们将这些结果与原位生长在碳化硅上石墨烯上的外延 hBN 的电子结构数据进行比较，后者使用硼嗪前驱体生长。外延生长与电子性质通过光电子发射电子显微镜进行研究。我们的测量表明，hBN 的基本电子性质高度依赖于制备策略。
引用
@article{arxiv.1807.11252,
title = {Electronic Structure of Exfoliated and Epitaxial Hexagonal Boron Nitride},
author = {Roland J. Koch and Jyoti Katoch and Simon Moser and Daniel Schwarz and Roland K. Kawakami and Aaron Bostwick and Eli Rotenberg and Chris Jozwiak and Søren Ulstrup},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.11252},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 8 figures