六方氮化硼介电击穿测量的器件结构比较
材料科学
2017-01-04 v1
摘要
在二维材料器件用大面积六方氮化硼薄膜（h-BN）的合成中，提高薄膜质量仍然是一个巨大挑战。介电击穿强度（EBD）的测量是阐明 h-BN 绝缘质量最重要的方法之一。本工作在不同环境条件下，使用三种不同的电极结构研究了高质量剥离单晶 h-BN 的 EBD，以确定 EBD 测量的理想电极结构和环境。系统研究表明，EBD 对接触力或电极面积不敏感，但强烈依赖于测量期间的相对湿度。一旦测量环境得到适当控制，发现无论电极结构如何，EBD 值在实验误差范围内是一致的，这使得能够通过针对不同目的正确使用三种不同的电极结构，在微观和宏观层面评估合成 h-BN 的结晶度。
引用
@article{arxiv.1612.07557,
title = {Comparison of device structures for the dielectric breakdown measurement of hexagonal boron nitride},
author = {Yoshiaki Hattori and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Kosuke Nagashio},
journal= {arXiv preprint arXiv:1612.07557},
year = {2017}
}