简易合成低维六方氮化硼的室温深紫外光致发光
介观与纳米尺度物理
2022-03-30 v1 量子物理
摘要
低维材料中缺陷能级的评估是量子科学的重要方面。本文报道一种简易合成六方氮化硼（h-BN）的方法，并评估其缺陷及发光特性。优化热退火工艺以获得洁净 h-BN。紫外-可见光谱显示其光学带隙为 5.28 eV，与已报道剥离洁净 h-BN 样品的带隙相当。优化的 h-BN 合成路线产生了两类缺陷，利用室温光致发光测量对其表征。缺陷分别发射 4.18 eV（深紫外区）与 3.44 eV（紫外）的光。发射深紫外（DUV）的缺陷对激发能量有振荡依赖，而发射 3.44 eV 光（ZPL3.44 eV）的缺陷具有平均能级间隔 125 meV 的声子带，于室温测得。这与具有等间距能级的 Franck-Condon 类结构非常吻合，系低维 h-BN 中单缺陷能级的典型迹象。
引用
@article{arxiv.2203.15022,
title = {Room temperature deep UV photoluminescence from low dimensional hexagonal boron nitride prepared using a facile synthesis},
author = {Ashly Sunny and Aniket Balapure and Ramakrishnan Ganesan and R. Thamankar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.15022},
year = {2022}
}
备注
25 pages, 5 figures, this manuscript is a research paper