hBN缺陷量子发射的第一性原理研究
材料科学
2017-06-14 v2
摘要
六方氮化硼（hBN）由于发现了稳健的可见光单光子发射器，最近成为室温量子光子学的迷人平台。为了利用这些发射器，必须清楚理解其原子结构以及产生此单光子发射的相关激发过程。在此，我们对一系列hBN点缺陷执行密度泛函理论（DFT）和约束DFT计算，以识别潜在的发射候选者。通过对所考虑缺陷的基态电子结构和激发态原子结构施加若干判据，然后计算黄-里斯（Huang-Rhys, HR）因子，我们发现CBVN缺陷（其中一个碳原子替代硼原子且对位的氮原子被移除）是一个潜在的发射源，其HR因子为1.66，与实验HR因子吻合良好。我们计算了该缺陷的光致发光（PL）线形，发现它再现了实验PL线形中的若干关键特征。
引用
@article{arxiv.1705.05753,
title = {First principles investigation of quantum emission from hBN defects},
author = {Sherif Abdulkader Tawfik and Sajid Ali and Marco Fronzi and Mehran Kianinia and Toan Trong Tran and Catherine Stampfl and Igor Aharonovich and Milos Toth and Michael J. Ford},
journal= {arXiv preprint arXiv:1705.05753},
year = {2017}
}