六方氮化硼中高质量量子发射体的制备与确定性转移
量子物理
2018-06-26 v2 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
固态晶体中的色心已成为单光子生成的常用体系，推动了量子光学与量子通信应用中集成光子器件的发展。特别是，二维(2D)六方氮化硼(hBN)中的缺陷因其化学与热鲁棒性以及室温下的高亮度，成为下一代单光子源的有力候选。hBN 的二维晶格可实现高提取效率并易于集成到光子电路中。本文我们开发了等离子体刻蚀技术并结合后续高温退火以可靠地产生缺陷。我们展示了不同制备参数如何影响缺陷形成概率与发射体亮度。完整的光学表征揭示了所创制量子发射体的更高品质，表现为窄光谱、短激发态寿命和高单光子纯度。我们还研究了短时与极长时间尺度下的光稳定性。我们利用湿化学辅助转移工艺将单光子源可靠地转移到任意衬底上，证明了集成到可扩展光子量子信息处理网络中的可行性。
引用
@article{arxiv.1711.10246,
title = {Fabrication and deterministic transfer of high quality quantum emitter in hexagonal boron nitride},
author = {Tobias Vogl and Geoff Campbell and Ben C. Buchler and Yuerui Lu and Ping Koy Lam},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.10246},
year = {2018}
}
备注
revised version