六方氮化硼中量子发射体阵列的全干式拾取与转移方法

六方氮化硼中的单光子发射体基于荧光类点缺陷。这些缺陷具有优异的光物理性质，因此因其在推动光子量子技术方面的潜力而成为广泛研究的焦点。然而，在保持其特性的同时实现这些发射体向任意平台的高良率可扩展集成仍然是一个重大挑战，特别是当目标基底与制备方法不兼容时。在这项工作中，我们引入了一种全干式转移方法，旨在解决这些挑战，与现有技术相比具有更好的有效性。这种聚合物印章辅助的转移方法保持了高产出并保留了发射体的基本特性，同时消除了湿法化学过程。全面的转移后表征不仅验证了单光子发射体的决定性特征——二阶相关函数 $g^{(2)}(0)$ ——得到维持，还显示出其改善了约 46%。相比之下，寿命、发射光谱和光稳定性仅显示出可忽略的变化，表明发射体的特性在转移过程中得到了保留。该转移技术的成功率为 81.8%，该成功率由转移后保留其光学特性并保持物理结构的单光子发射体比例所确定。这一高成功率展示了在不同平台上扩展单光子发射体集成的潜力。我们期望这一工艺能促进氮化硼缺陷在量子技术中的应用。