六方氮化硼中量子发射体的电荷跃迁能级
材料科学
2019-07-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
层状材料中的量子发射体是纳米光子学应用中有前景的候选者。本文提出一种基于向石墨烯电荷转移的技术,用于测量宽禁带二维材料中荧光缺陷的电荷跃迁能级(),并将其应用于六方氮化硼(hBN)中的量子发射体。我们的结果将有助于确定 hBN 中量子发射体的原子结构,以及实际应用,因为 决定了缺陷电荷态并在光动力学中发挥关键作用。
引用
@article{arxiv.1907.00471,
title = {Charge transition levels of quantum emitters in hexagonal boron nitride},
author = {Zai-Quan Xu and Noah Mendelson and John A. Scott and Chi Li and Igor Aharonovich and Milos Toth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.00471},
year = {2019}
}