六方氮化硼中量子发射体的应变工程
材料科学
2020-01-13 v2 介观与纳米尺度物理
光学
摘要
六方氮化硼（hBN）中的量子发射体是实现集成量子光子系统的有前景的构建模块。然而，其光谱非均匀性目前限制了其潜在应用。在此，我们对嵌入于少层hBN薄膜中的量子发射体施加拉伸应变，实现了红移与蓝移光谱偏移，调谐幅度高达65 meV，这是任意二维量子源的最高纪录。我们展示了发射及相关光物理性质的可逆调谐。我们还观察到光学偶极子随应变发生旋转，表明存在第二激发态。我们推导了一个理论模型来描述hBN中基于应变的调谐以及光学偶极子的旋转。我们的工作展示了层状材料中量子发射体应变调谐的巨大潜力，以促成其在可扩展量子光子网络中的使用。
引用
@article{arxiv.1911.08072,
title = {Strain Engineering of Quantum Emitters in Hexagonal Boron Nitride},
author = {Noah Mendelson and Marcus Doherty and Milos Toth and Igor Aharonovich and Toan Trong Tran},
journal= {arXiv preprint arXiv:1911.08072},
year = {2020}
}