原子级薄材料中近 identical 量子发射器的自下而上工程
应用物理
2018-06-05 v1 材料科学
光学
摘要
量子技术需要可稳健工程化且光稳定的单光子发射器(SPEs)。六方氮化硼(hBN)近来成为在室温下运行明亮且光稳定SPEs的有前途候选宿主。然而，迄今为止hBN中荧光缺陷的发射波长被证明不受控制。发射器通常显示跨越宽光谱范围(数百纳米)的零声子线(ZPL)能量大散布，这阻碍了基于hBN的器件与应用的潜在发展。我们展示了大面积、少层hBN的自下而上化学气相沉积生长，其宿主大量SPEs：每10x10 {\mu}m2达100个。值得注意的是，超过85%的发射器ZPL位于(580{\pm}10)nm，该分布比先前报道的窄一个数量级以上。利用发射器的高密度和均匀性，我们展示了ZPL发射波长高达15 nm的电调制与调谐。我们的结果构成了基于2D材料的可扩展量子光子与混合光电设备中hBN单光子发射器实际部署的明确进展。
引用
@article{arxiv.1806.01199,
title = {Bottom up engineering of near-identical quantum emitters in atomically thin materials},
author = {Noah Mendelson and Zai-Quan Xu and Toan Trong Tran and Mehran Kianinia and Carlo Bradac and John Scott and Minh Nguyen and James Bishop and Johannes Froch and Blake Regan and Igor Aharonovich and Milos Toth},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.01199},
year = {2018}
}