六方石硼酸石墨异构结构中量子发射器的电荷屏蔽效应
材料科学
2025-01-23 v1
摘要
六方石硼酸 (hBN) 中的缺陷色心已获得显著关注，作为单光子发射器和自旋量子比特用于广泛的量子技术应用。由于将这些固态量子发射器集成到电子器件中需要电气控制，因此深入理解 hBN/graphene 异构结构中这些缺陷色心电荷控制机制至关重要。在本文中，我们展示了由于 hBN 被石墨封装导致的屏蔽效应修改了 hBN 的电气能级，导致电荷转移。进一步我们展示，带电缺陷具有低能垒进行缺陷重新取向，这可以通过适中的栅极电压来克服。这项研究表明，对缺陷的电荷态进行准确建模是必要的，以能够通过栅极电压控制缺陷。
引用
@article{arxiv.2501.12852,
title = {Charging of quantum emitters in hexagonal boron nitride - graphene heterostructures due to electrostatic screening},
author = {Madhava Krishna Prasad and Jonathan Paul Goss and Jonathan David Mar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.12852},
year = {2025}
}
备注
5 pages, 6 figures