六方石墨烯中自旋缺陷电荷态的调控
材料科学
2025-01-31 v1 介观与纳米尺度物理
量子物理
摘要
六方石墨烯（hBN）中的硼空位是 van der Waals晶体中最受欢迎的光学活性自旋缺陷之一，因其发展2D量子传感器的前景。本文演示了硼空位在超薄hBN层中电荷态的可调性，揭示了当其夹层于石墨烯电极之间时，从光学活性单负电荷态向光学非活性双负电荷态的转变。值得注意的是，在电极之间施加偏压电压后，光电荷发射（PL）显著淬灭。我们的发现突显了在2D材料中考虑光学活性缺陷电荷态的重要性，同时表明，负电硼空位对垂直电场具有较强稳健性。这一稳定性使其成为集成到各种van der Waals异质结构中的有前景的候选材料。
引用
@article{arxiv.2501.18206,
title = {Charge state tuning of spin defects in hexagonal boron nitride},
author = {Jules Fraunié and Tristan Clua-Provost and Sébastien Roux and Zhao Mu and Adrien Delpoux and Grégory Seine and Delphine Lagarde and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Xavier Marie and Thomas Poirier and James H. Edgar and Jeremie Grisolia and Benjamin Lassagne and Alain Claverie and Vincent Jacques and Cedric Robert},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.18206},
year = {2025}
}