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应变 hBN 自旋缺陷的相关纳米尺度成像

介观与纳米尺度物理 2022-03-21 v1 量子物理

摘要

诸如六方氮化硼(hBN)中带负电的硼空位色心(VBV_B^-)之类的自旋缺陷,可能借助层状范德瓦耳斯异质结构中近表面缺陷实现新型量子传感。在此,我们通过相关阴极发光与光致发光显微术,揭示 hBN 薄片中褶皱相关应变对 hBN 内 VBV_B^-VBV_B 色心的影响。我们观察到在褶皱处 VBV_B^- 发光的强烈局域增强与红移,这与密度泛函理论计算一致,该计算显示 VBV_B^- 向具有中等单轴压缩应变区域迁移。利用高度局域化应变操控这些自旋缺陷的能力,为未来二维量子传感器提供了引人入胜的可能性。

关键词

引用

@article{arxiv.2203.10075,
  title  = {Correlative nanoscale imaging of strained hBN spin defects},
  author = {David Curie and Jaron T. Krogel and Lukas Cavar and Abhishek Solanki and Pramey Upadhyaya and Tongcang Li and Yun-Yi Pai and Michael Chilcote and Vasudevan Iyer and Alex Puretzky and Ilia Ivanov and Mao-Hua Du and Fernando Reboredo and Benjamin Lawrie},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2203.10075},
  year   = {2022}
}