单同位素六方氮化硼中V_B^-自旋缺陷的退相干
材料科学
2023-10-03 v1 量子物理
摘要
六方氮化硼(hBN)中的自旋缺陷是用于设计柔性二维量子传感平台的有前景的量子系统。本文利用分别富集^{10}B或^{11}B的hBN晶体，研究在近红外具有宽带光致发光信号的一种自旋缺陷的同位素依赖性质。通过分析改变硼同位素时该自旋缺陷的超精细结构，我们首先明确确认其对应于带负电的硼空位中心(V_B^-)。随后我们表明，在^{10}B富集样品中其自旋相干性质略有改善。采用团簇关联展开方法的数值模拟支持了这一结论，其揭示了超精细费米接触项对于计算hBN中点缺陷相干时间的重要性。利用交叉弛豫谱，我们最终确认暗电子自旋杂质是退相干的额外来源。本工作为V_B^-自旋缺陷的性质提供了新见解，对未来开发基于hBN的量子传感箔具有重要价值。
引用
@article{arxiv.2112.10176,
title = {Decoherence of V$_{\rm B}^{-}$ spin defects in monoisotopic hexagonal boron nitride},
author = {A. Haykal and R. Tanos and N. Minotto and A. Durand and F. Fabre and J. Li and J. H. Edgar and V. Ivady and A. Gali and T. Michel and A. Dréau and B. Gil and G. Cassabois and V. Jacques},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.10176},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 5 figures