六方氮化硼中 $V_B^-$ 缺陷的磁场依赖性
量子物理
2024-10-10 v1
摘要
自从与自旋缺陷在六方氮化硼 (hBN) 接口的结合日益成为有前景的平台并展示出在广泛范围的量子技术应用中的潜力后， 缺陷的各种自旋性质已受到广泛深入研究，如其结构和相干控制。然而, 关于 hBN 中 缺陷受轴外磁场对相干性质影响的研究仍寥寥无几。本文采用光检测磁共振 (ODMR) 光谱学手段, 对不同垂直和平行于外部磁场的 ODMR 共振频率进行系统性调查。此外, 我们在强度恒定但角度不同的轴外磁场下测量 ODMR 谱, 并观察到共振频率分裂随角度增加而减小, 这与基于哈密顿量的理论计算结果一致, 从而我们提出了一种检测轴外磁场角度的方法。通过 Rabi 振荡测量, 我们发现轴外磁场抑制了自旋相干时间。这些结果对于优化 hBN 中的 缺陷，确立其作为在各种环境下用于量子信息处理和磁场探测的稳健量子传感器具有重要意义。
引用
@article{arxiv.2410.06755,
title = {Magnetic field dependence of $V_B^-$ Defects in hexagonal boron nitride},
author = {Mulin Zheng and Shizhuo Ale and Peiqin Chen and Jingpu Tu and Qiang Zhou and Haizhi Song and You Wang and Junfeng Wang and Guangcan Guo and Guangwei Deng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.06755},
year = {2024}
}
备注
5pages, 4 figures