六方氮化硼中自旋缺陷的激发态谱学
量子物理
2022-05-06 v1
摘要
我们利用光探测磁共振（ODMR）技术，在室温下直接探测六方氮化硼（hBN）中带负电硼空位（VB-）缺陷激发态的电子自旋共振跃迁。数据显示，激发态具有约 2.1 GHz 的零场分裂、与基态相似的 g 因子，以及分别约为 90 MHz 和 18.8 MHz 的两类超精细分裂。我们进行了脉冲 ODMR 实验，以进一步验证观测到的对应于激发态中自旋跃迁的共振峰。此外，我们观测到在能级反交叉处光致发光和 ODMR 对比度随磁场大小和角度变化的负峰，并用相干自旋进动和各向异性弛豫予以解释。该工作为研究 VB- 激发态结构提供了重要见解，这可能用于量子信息处理和纳米尺度量子传感。
引用
@article{arxiv.2112.02912,
title = {Excited-state spectroscopy of spin defects in hexagonal boron nitride},
author = {Pei Yu and Haoyu Sun and Mengqi Wang and Tao Zhang and Xiangyu Ye and Jingwei Zhou and Hangyu Liu and Chengjie Wang and Fazhan Shi and Ya Wang and Jiangfeng Du},
journal= {arXiv preprint arXiv:2112.02912},
year = {2022}
}