六方氮化硼中单缺陷的室温光探测磁共振
介观与纳米尺度物理
2022-02-16 v1 材料科学
量子物理
摘要
材料中的光可寻址自旋是量子技术(如中继器和传感器)的重要平台。在二维(2d)层状材料中识别此类系统相比块体材料具有优势,因为其降低的维度使得在器件上实现更可行的片上集成。在此,我们报道了此前已识别的二维六方氮化硼(hBN)中碳相关缺陷的光探测磁共振(ODMR)。我们表明,单缺陷 ODMR 对比度可强达 6%,并显示出每个缺陷具有正或负符号的磁场依赖性。这种双极性可以阐明最近针对这些缺陷的系综 ODMR 测量所报道的低对比度。此外,ODMR 线形包含一个双峰共振,表明存在低零场分裂或超精细耦合。我们的结果为在六方氮化硼中实现室温自旋-光子量子接口提供了一条有前景的途径。
引用
@article{arxiv.2103.16494,
title = {Room-temperature optically detected magnetic resonance of single defects in hexagonal boron nitride},
author = {Hannah L. Stern and John Jarman and Qiushi Gu and Simone Eizagirre Barker and Noah Mendelson and Dipankar Chugh and Sam Schott and Hoe H. Tan and Henning Sirringhaus and Igor Aharonovich and Mete Atatüre},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.16494},
year = {2022}
}