六方氮化硼中光学探测磁共振所涉缺陷的辨识
材料科学
2019-12-18 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
二维绝缘体六方氮化硼（hBN）中的晶体缺陷可承载局域电子态，是量子技术应用中的候选体系，但实验中测得的缺陷确切化学与结构本质仍未知。最近，首次在 hBN 缺陷中测得光学探测磁共振（ODMR），提供了丰富信息。其中一种情况被暂定为 VB- 缺陷。在此，我们报道密度泛函理论（DFT）对能量学、零场分裂参数 D 与超精细耦合张量 A 的计算，证实了该归属。我们还表明第二次 ODMR 测量与 VN- 缺陷一致。两种情况下，缺陷位于层的边缘或中心均十分重要。这推进了我们对 hBN 中晶体缺陷的原子尺度理解，而这是利用这些体系在量子技术中的应用潜力所必需的。
引用
@article{arxiv.1912.07816,
title = {Identification of defects responsible for optically detected magnetic resonance in hexagonal boron nitride},
author = {A Sajid and Kristian S Thygesen and Jeffrey R Reimers and Michael J Ford},
journal= {arXiv preprint arXiv:1912.07816},
year = {2019}
}
备注
17 pages, 4 figures, 1 table