六方氮化硼中原子尺度缺陷的可视化及其对光电子性质的影响
介观与纳米尺度物理
2022-02-14 v1 材料科学
摘要
六方氮化硼（hBN）近年来因其许多显著性质而备受关注。这些性质包括具有优异光学性质的单光子发射体，这使其成为众多光子技术的理想候选者。然而，尽管有大量的实验结果和理论计算，导致观测到的发射的缺陷结构仍在争论中。在这项工作中，我们在环境条件下用原子力显微镜可视化 hBN 中的单个原子尺度缺陷，并观察到来自光学稳定发射体的多条窄发射线。这种对缺陷结构的直接观察结合对其能带结构和电子性质的密度泛函理论计算，使我们能够将若干单光子跃迁的存在与观测到的缺陷联系起来。我们的工作阐明了 hBN 中单光子发射的起源，这对于理解和调控光电子学与量子技术中高质量发射体十分重要。
引用
@article{arxiv.2202.05636,
title = {Direct visualization and effects of atomic-scale defects on the optoelectronic properties of hexagonal boron nitride},
author = {Pablo Ares and Hernan Santos and Snezana Lazic and Carlos Gibaja and Inigo Torres and Sergio Pinilla Yanguas and Julio Gomez-Herrero and Herko P. van der Meulen and Pablo Garcia-Gonzalez and Felix Zamora},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.05636},
year = {2022}
}