VNCB缺陷作为六方氮化硼中单光子发射的来源
材料科学
2020-03-24 v1
摘要
二维六方氮化硼（hBN）中的单光子发射体因其高强度、稳定且可应变调谐的发射而受到相当关注。然而，该发射的精确来源，特别是所涉及晶体缺陷的详细原子结构，仍未知晓。在本工作中，我们给出了hBN中VNCB点缺陷的自旋三重态(2)(_^3)B_1到(1)(_^3)B_1跃迁的振动分辨光学指纹的第一性原理计算。基于与实验在发射频率与偏振、光致发光（PL）线形、黄-里斯因子、德拜-瓦勒因子和重组能等关键光谱量上的高度一致，我们确凿地将观测到的约2eV单光子发射归属于VNCB缺陷。我们的工作由此解决了关于hBN单光子发射来源确切化学性质的长期争论，并建立了为量子技术应用控制和利用此类光子所必需的微观理解。
引用
@article{arxiv.2003.10171,
title = {VNCB defect as source of single photon emission from hexagonal boron nitride},
author = {A. Sajid and and Kristian S. Thygesen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2003.10171},
year = {2020}
}