$h$-BN 中的双稳态碳空位缺陷
材料科学
2022-09-19 v2
摘要
六方氮化硼中的单光子发射体近来已被广泛研究。尽管发射体的明确辨识仍在深入研究之中，碳相关缺陷被认为对产生 至 ~eV 范围内零声子线的发射体起着至关重要的作用。在本研究中，我们通过密度泛函理论计算系统考察了两种碳空位缺陷构型，VNCB 与 CNVB。我们计算了从一种缺陷到另一种缺陷的反应势垒能以确定相对稳定性。我们发现势垒能依赖于电荷态，且 CNVB 在中性与正电荷态下可轻易转变为 VNCB，而在负电荷态时稳定。形成能计算表明 VNCB 是相对于 CNVB 的主导缺陷。然而，VNCB 与 CNVB 均不具有能复现观测结果的合适荧光光谱。我们的结果表明，-至--eV 发射体的起源应为其他碳相关构型。
引用
@article{arxiv.2208.06691,
title = {Bistable carbon-vacancy defects in $h$-BN},
author = {Song Li and Adam Gali},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.06691},
year = {2022}
}