$C_2C_N$ 作为六方氮化硼中 2 eV 单光子发射体候选
材料科学
2021-10-06 v1
摘要
六方氮化硼中约 2 eV 发射的单光子发射体的产生在实验上已被广泛确认；然而这些发射体的原子本质未知。在本文中，我们利用第一性原理计算证明 是 2 eV 单光子发射体的可能来源。我们展示了一套与缺陷相关的完整静态与动力学性质计算，包括激子-缺陷耦合和电声子相互作用。特别地，我们表明在与已知 2 eV 发射体的实验寿命比较时考虑非辐射过程至关重要。我们发现 具有若干与实验观测单光子发射体相符的关键物理性质。这些包括零声子线（2.13eV）、黄-里斯因子（1.35）、光致发光寿命（2.19 ns）、声子边带能量（180meV）以及光致发光谱。对 2 eV 发射缺陷候选的识别为可控单光子发射产生铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2110.01787,
title = {$C_2C_N$ as a 2 eV Single-Photon Emitter Candidate in Hexagonal Boron Nitride},
author = {Kejun Li and Tyler Smart and Yuan Ping},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.01787},
year = {2021}
}