碳二聚体缺陷作为六方氮化硼中4.1 eV发光的来源
材料科学
2019-11-26 v2
摘要
我们提出六方氮化硼中的碳二聚体缺陷产生了普遍存在的窄发光带，其零声子线为4.08 eV（通常标为4.1 eV带）。我们的第一性原理计算基于杂化密度泛函，其可对宽禁带材料给出可靠描述。计算所得4.3 eV的零声子线能量接近实验值，且推导出的黄-里斯因子（表明适度的电子-声子耦合）落在实验范围内。该光学跃迁发生于两个局域的型缺陷态之间，其极短的自发辐射寿命为1.2纳秒，与实验非常吻合。
引用
@article{arxiv.1907.02303,
title = {Carbon dimer defect as a source of the 4.1 eV luminescence in hexagonal boron nitride},
author = {Mazena Mackoit-Sinkeviciene and Marek Maciaszek and Chris G. Van de Walle and Audrius Alkauskas},
journal= {arXiv preprint arXiv:1907.02303},
year = {2019}
}
备注
4 pages, 3 figures