六方氮化硼是一种间接带隙半导体
材料科学
2016-05-04 v1
摘要
六方氮化硼是一种宽禁带半导体，具有非常高的热和化学稳定性，常用于极端条件下工作的器件。高纯度晶体的生长最近揭示了该材料在深紫外发射方面的潜力，在215 nm附近有强烈发射。近年来，随着二维原子晶体和范德瓦尔斯异质结构的出现（始于石墨烯的发现），六方氮化硼受到更多关注。尽管兴趣增长且结构看似简单，带隙性质和数值的基本问题仍有争议。在此，我们通过光学光谱提供5.955 eV处间接带隙的证据，解决了这个长期争论的问题。我们展示了声子辅助光学跃迁的存在，并通过双光子光谱测量到约130 meV的激子结合能。
引用
@article{arxiv.1512.02962,
title = {Hexagonal boron nitride is an indirect bandgap semiconductor},
author = {G. Cassabois and P. Valvin and B. Gil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.02962},
year = {2016}
}
备注
To appear in Nature Photonics