hBN中弱束缚间接激子产生的高亮度发光
材料科学
2019-02-20 v2
摘要
通过紫外波段的阴极发光对六方氮化硼(hBN)中的激子发光效率进行了定量分析，并与氧化锌和金刚石单晶进行了比较。在10 K下发现hBN的量子产率约为50%，可与直接带隙半导体相媲美。这种在215 nm处的明亮发光在室温下保持稳定，证明了块体hBN中激子的强束缚特性。激子色散的第一性原理计算证实了最低能量激子的间接本性，其结合能经测定为300 meV，与发光中观测到的热稳定性一致。直接激子出现在更高能量但非常接近间接激子，这解决了块体hBN中长期争议的斯托克斯位移问题。
引用
@article{arxiv.1803.03766,
title = {Bright luminescence from indirect and strongly bound excitons in hBN},
author = {Leonard Schue and Lorenzo Sponza and Alexandre Plaud and Hakima Bensalah and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and François Ducastelle and Annick Loiseau and Julien Barjon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1803.03766},
year = {2019}
}