六方氮化硼中自由激子的辐射寿命
材料科学
2021-11-10 v1
摘要
利用一套专用于紫外光谱范围的新时间分辨阴极发光系统，我们首次估算了室温下hBN中自由激子的辐射寿命。这是通过单次实验完成的，该实验同时给出了连续激发下的绝对发光强度以及时域中自由激子的衰减时间。hBN中间接激子的辐射寿命为27 ns，远短于其他间接带隙半导体。这归因于激子复合物中电子与空穴的紧密邻近，以及间接激子与直接激子之间微小的能量差。因此，hBN作为间接带隙材料却具有异常高的发光效率，得到了半定量的理解。
引用
@article{arxiv.2107.00989,
title = {Radiative lifetime of free excitons in hexagonal boron nitride},
author = {Sébastien Roux and Christophe Arnold and Fulvio Paleari and Lorenzo Sponza and Eli Janzen and James H. Edgar and Bérangère Toury and Catherine Journet and Vincent Garnier and Philippe Steyer and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and François Ducastelle and Annick Loiseau and Julien Barjon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.00989},
year = {2021}
}