碳纳米管中激子的声子与非辐射电子衰变
强关联电子
2009-11-13 v2 材料科学
摘要
我们从理论上研究了多种衰变机制下激发态半导体纳米管的非辐射衰变速率，并与实验结果进行了比较。我们发现，自由激子的多声子衰变（MPD）速率过慢，不足以解释实验观测到的寿命。然而，局域化激子的 MPD 寿命可能缩短 2-3 个数量级。我们还提出了一种新的衰变机制，该机制依赖于纳米管的有限掺杂，涉及激子衰变为一个光学声子和一个带内电子 - 空穴对。即使对于中等掺杂水平，由此产生的寿命也在 5 到 100 ps 范围内。
引用
@article{arxiv.0804.0767,
title = {Phonon and Electronic Non-radiative Decay of Excitons in Carbon Nanotubes},
author = {Vasili Perebeinos and Phaedon Avouris},
journal= {arXiv preprint arXiv:0804.0767},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 3 figures, + 7 pages, 3 figures in attached appendix