hBN 中的激子-激子湮灭
介观与纳米尺度物理
2019-07-24 v1 材料科学
摘要
作为高激发密度下显著的复合路径，激子-激子湮灭（EEA）通过低温下的阴极发光在块体六方氮化硼（hBN）中得到证实。借助通过改变入射电子束的电流或聚焦来仔细调节激子密度，我们估计在 K 时 EEA 速率为 210 cm.s，这是迄今报道的块体半导体中的最高值。预计在纳米管或原子层中该效应甚至更强，EEA 很可能导致了在低维 BN 材料中观测到的发光淬灭。
引用
@article{arxiv.1905.07133,
title = {Exciton-exciton annihilation in hBN},
author = {Alexandre Plaud and Léonard Schué and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Annick Loiseau and Julien Barjon},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.07133},
year = {2019}
}