六方氮化硼中的激子干涉
介观与纳米尺度物理
2018-02-22 v2 强关联电子
摘要
在这篇快报中，我们报告了对块体六方氮化硼中激子色散的深入分析。我们在有限 下求解了从头算 GW Bethe-Salpeter 方程，并将结果与近期高精度电子能量损失谱数据进行了比较。模拟再现了测量的色散关系和峰强度的变化。我们聚焦于强度的演化，并证明激子峰是由两组跃迁叠加形成的，我们根据所涉及的 k 点将其称为 和 。这两组跃迁以相反的符号贡献于峰强度，彼此削弱对方的贡献。这些跃迁在数量和振幅上的变化决定了峰强度的改变。我们的结果有助于理解该系统沿 方向（这是光谱测量的相关方向）的电子激发。它们还揭示了 h-BN 中谷物理与激子色散之间的非平凡关系，为通过调控跃迁间的干涉来调节激子效应开辟了可能性。此外，本研究引入了完全通用的分析工具和方法论。它们提出了一种重组独立粒子跃迁的方法，这可能有助于更深入地理解任何系统中的激子特性。
引用
@article{arxiv.1709.07397,
title = {Exciton interference in hexagonal boron nitride},
author = {Lorenzo Sponza and Hakim Amara and Claudio Attaccalite and François Ducastelle and Annick Loiseau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1709.07397},
year = {2018}
}