氮化硼多晶型中的直接激子与间接激子：原子构型与电子关联的故事

我们计算并讨论了六方氮化硼(hBN)在单层构型及三种块体多晶型（通常的AA'堆垛、Bernal AB与菱方ABC）中的电子能带结构与激子色散。我们聚焦于由原子构型与电子-空穴相互作用引起的电子能带结构和激子色散的变化。计算在\textit{ab initio}多体微扰理论（GW与Bethe-Salpeter方程）层面进行，并借助适当的紧束缚模型。我们确认了从单层到块体系统时电子带隙由直接变为间接，并通过比较不同堆垛序列的影响详细说明了其起源。我们强调，包含电子-空穴相互作用对于正确描述激发的动量依赖色散至关重要。相较于独立粒子图像中的激发色散，它使激子色散变平。在AB堆垛中该效应尤为重要，因为尽管存在间接电子带隙，最低激子被预测为直接的。