关联诱导的氮化硼能带结构修正：一种基于波函数的方法
强关联电子
2010-12-20 v1
摘要
我们系统研究了关联诱导的闪锌矿BN电子能带结构修正。我们的研究采用了一种基于第一性原理波函数的局域哈密顿量形式，该形式为计算半导体和绝缘材料导带或价带中额外电子或空穴周围的极化和局域电荷再分布效应提供了一种严谨方法。此外，超越弛豫和极化的电子关联可以很容易地纳入其中。电子关联处理在有限团簇上进行。在进行研究时，我们利用了从先前的周期性Hartree-Fock计算中显式导出的局域Wannier函数和嵌入势。在位和最近邻电荷弛豫对Hartree-Fock带隙带来了数个eV的修正。额外的修正由长程极化效应引起。相比之下，Hartree-Fock带的色散受电子关联影响很小。我们得到的闪锌矿BN基本带隙的最终结果与从B和N K边软X射线实验推导出的结果吻合良好。
引用
@article{arxiv.0902.2699,
title = {Correlation-induced corrections to the band structure of boron nitride: a wave-function-based approach},
author = {A. Stoyanova and L. Hozoi and P. Fulde and H. Stoll},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.2699},
year = {2010}
}
备注
18 pages, 8 figures; the following article has been submitted to J. Chem. Phys